Pronađeno: 31-37 / 37 radova

Autori: Stojadinovic Ninoslav D

>> Prikaži sve rezultate

Naslov Effects of burn-in stressing on post-irradiation annealing response of power VDMOSFETs (Article)
Autori Djoric-Veljkovic Snezana M  Manic Ivica Dj  Davidovic Vojkan S  Golubovic Snezana M  Stojadinovic Ninoslav D 
Info MICROELECTRONICS RELIABILITY, (2003), vol. 43 br. 9-11, str. 1455-1460
Ispravka ISI/Web of Science   Članak   Elečas   Rang časopisa   Citati: ISI/Web of Science   Scopus  
Naslov Effects of burn-in stressing on radiation response of power VDMOSFETs (Article)
Autori Stojadinovic Ninoslav D  Djoric-Veljkovic Snezana M  Manic Ivica Dj  Davidovic Vojkan S  Golubovic Snezana M 
Info MICROELECTRONICS JOURNAL, (2002), vol. 33 br. 11, str. 899-905
Ispravka ISI/Web of Science   Članak   Elečas   Rang časopisa   Citati: ISI/Web of Science   Scopus  
Naslov Mechanisms of spontaneous recovery in positive gate bias stressed power VDMOSFETs (Article)
Autori Stojadinovic Ninoslav D  Manic Ivica Dj  Djoric-Veljkovic Snezana M  Davidovic Vojkan S  Dankovic Danijel M  Golubovic Snezana M  Dimitrijev Sima 
Info MICROELECTRONICS RELIABILITY, (2002), vol. 42 br. 9-11, str. 1465-1468
Ispravka ISI/Web of Science   Članak   Elečas   Rang časopisa   Citati: ISI/Web of Science  
Naslov Effects of high electric field and elevated-temperature bias stressing on radiation response in power VDMOSFETs (Article)
Autori Stojadinovic Ninoslav D  Manic Ivica Dj  Djoric-Veljkovic Snezana M  Davidovic Vojkan S  Golubovic Snezana M  Dimitrijev Sima 
Info MICROELECTRONICS RELIABILITY, (2002), vol. 42 br. 4-5, str. 669-677
Ispravka ISI/Web of Science   Članak   Elečas   Rang časopisa   Citati: ISI/Web of Science   Scopus  
Naslov Radiation hardening of power MOSFETs using electrical stress (Article)
Autori Stojadinovic Ninoslav D  Djoric-Veljkovic Snezana M  Manic Ivica Dj  Davidovic Vojkan S  Golubovic Snezana M 
Info ELECTRONICS LETTERS, (2002), vol. 38 br. 9, str. 431-432
Ispravka ISI/Web of Science   Članak   Elečas   Rang časopisa   Citati: ISI/Web of Science   Scopus  
Naslov Mechanisms of positive gate bias stress induced instabilities in power VDMOSFETs (Article)
Autori Stojadinovic Ninoslav D  Manic Ivica Dj  Djoric-Veljkovic Snezana M  Davidovic Vojkan S  Golubovic Snezana M  Dimitrijev Sima 
Info MICROELECTRONICS RELIABILITY, (2001), vol. 41 br. 9-10, str. 1373-1378
Ispravka ISI/Web of Science   Članak   Elečas   Rang časopisa   Citati: ISI/Web of Science   Scopus  
Naslov Analytical modelling of electrical characteristics in gamma-irradiated power VDMOS transistors (Article)
Autori Manic Ivica Dj  Pavlovic Zoran  Prijic Zoran D  Davidovic Vojkan S  Stojadinovic Ninoslav D 
Info MICROELECTRONICS JOURNAL, (2001), vol. 32 br. 5-6, str. 485-490
Ispravka ISI/Web of Science   Članak   Elečas   Rang časopisa   Citati: ISI/Web of Science   Scopus  
Ispis zapisa u formatu:TXT | BibTeX