Pronađeno: 1-6 / 6 radova

Autori: Dimitrijev Sima

>> Prikaži sve rezultate

Naslov Turn-Around of Threshold Voltage in Gate Bias Stressed p-Channel Power Vertical Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Transistors (Article)
Autori Davidovic Vojkan S  Stojadinovic Ninoslav D  Dankovic Danijel M  Golubovic Snezana M  Manic Ivica Dj  Djoric-Veljkovic Snezana M  Dimitrijev Sima 
Info JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, (2008), vol. 47 br. 8, str. 6272-6276
Projekat Ministry of Science of the Republic of Serbia
Ispravka ISI/Web of Science   Članak   Elečas   Rang časopisa   Citati: ISI/Web of Science   Scopus  
Naslov Electrical stressing effects in commercial power VDMOSFETs (Article)
Autori Stojadinovic Ninoslav D  Manic Ivica Dj  Davidovic Vojkan S  Dankovic Danijel M  Djoric-Veljkovic Snezana M  Golubovic Snezana M  Dimitrijev Sima 
Info IEE PROCEEDINGS-CIRCUITS DEVICES AND SYSTEMS, (2006), vol. 153 br. 3, str. 281-288
Ispravka ISI/Web of Science   Članak   Elečas   Rang časopisa   Citati: ISI/Web of Science   Scopus  
Naslov Effects of electrical stressing in power VDMOSFETS (Article)
Autori Stojadinovic Ninoslav D  Manic Ivica Dj  Davidovic Vojkan S  Dankovic Danijel M  Djoric-Veljkovic Snezana M  Golubovic Snezana M  Dimitrijev Sima 
Info MICROELECTRONICS RELIABILITY, (2005), vol. 45 br. 1, str. 115-122
Ispravka ISI/Web of Science   Članak   Elečas   Rang časopisa   Citati: ISI/Web of Science   Scopus  
Naslov Mechanisms of spontaneous recovery in positive gate bias stressed power VDMOSFETs (Article)
Autori Stojadinovic Ninoslav D  Manic Ivica Dj  Djoric-Veljkovic Snezana M  Davidovic Vojkan S  Dankovic Danijel M  Golubovic Snezana M  Dimitrijev Sima 
Info MICROELECTRONICS RELIABILITY, (2002), vol. 42 br. 9-11, str. 1465-1468
Ispravka ISI/Web of Science   Članak   Elečas   Rang časopisa   Citati: ISI/Web of Science  
Naslov Effects of high electric field and elevated-temperature bias stressing on radiation response in power VDMOSFETs (Article)
Autori Stojadinovic Ninoslav D  Manic Ivica Dj  Djoric-Veljkovic Snezana M  Davidovic Vojkan S  Golubovic Snezana M  Dimitrijev Sima 
Info MICROELECTRONICS RELIABILITY, (2002), vol. 42 br. 4-5, str. 669-677
Ispravka ISI/Web of Science   Članak   Elečas   Rang časopisa   Citati: ISI/Web of Science   Scopus  
Naslov Mechanisms of positive gate bias stress induced instabilities in power VDMOSFETs (Article)
Autori Stojadinovic Ninoslav D  Manic Ivica Dj  Djoric-Veljkovic Snezana M  Davidovic Vojkan S  Golubovic Snezana M  Dimitrijev Sima 
Info MICROELECTRONICS RELIABILITY, (2001), vol. 41 br. 9-10, str. 1373-1378
Ispravka ISI/Web of Science   Članak   Elečas   Rang časopisa   Citati: ISI/Web of Science   Scopus  
Ispis zapisa u formatu:TXT | BibTeX